王阳元

中国科学院院士

       生于1935年1月， 浙江宁波人，中科院院士，北京大学教授、微电子研究院首席科学家，美国IEEE Fellow、英国IEE Fellow。创立并领导建设北京大学微电子学科，主持研究成功硅栅N沟道技术和我国第一块1024位MOS DRAM；在国际上提出了多晶硅薄膜氧化动力学新模型和应用方程以及MOS绝缘层中可动离子和电荷陷阱新的测量方法，为发展MOS集成电路技术作出了重要贡献。率先开发成功多晶硅发射极超高速集成电路技术，为发展我国双极集成电路技术作出重要贡献。       创建了SOI新器件研究室等研究机构，主持建设了我国第一个国家级微米/纳米加工技术重点实验室。在SOI新器件与电路和MEMS系统等领域均有重要建树。       在任全国ICCAD专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，为我国集成电路设计业的发展打下了重要技术基础。       与国际同行创建了中芯国际集成电路制造有限公司，成为我国集成电路产业发展中新的里程碑。       近年来，致力于绿色微纳电子学科的建设，率先开展低功耗和纳米级集成电路研究。       共发表科研论文300余篇，出版著作11部，取得发明专利授权60余项，拥有20项重大科技成果；获全国科学大会奖、国家发明奖、国家科技进步奖、北京大学首届蔡元培奖等19项国家级和部委级奖励。共培养硕士生、博士生和博士后研究人员逾百人。